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鈣鈦礦異質(zhì)結構的外延生長技術在高性能光電探測器中的應用
更新時間:2024-09-19瀏覽:286次

近日,浙江大學材料學院葉志鎮(zhèn)院士團隊在鈣鈦礦異質(zhì)結構方面取得重要進展,研究成果以“Epitaxial Growth of CsPbBr3 Pyramids/CdS Nanobelt Heterostructures for High-Performance Photodetectors"為題發(fā)表在國際知*學術期刊ACS Applied Materials&Interfaces (doi:10.1021/acsami.3c19282)上。徐興博士為第一作者,葉志鎮(zhèn)院士、何海平教授、樊超博士為共同通訊作者。

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全無機鉛鹵鈣鈦礦CsPbBr3材料具有優(yōu)異的光電特性,包括高遷移率、大吸收截面、適當?shù)哪軒挾鹊?,在光伏、光電探測等領域具有潛在的應用價值。構建半導體異質(zhì)結構是實現(xiàn)高性能光電探測器件的有效途徑,異質(zhì)界面*特的能帶結構對非平衡載流子的復合和分離具有調(diào)控作用,尤其是Type2型能帶結構有利于光生載流子分離,從而提升光電探測器件中光電子/空穴的利用率。

有鑒于此,葉志鎮(zhèn)團隊通過氣相外延生長構建了具有Type2型能帶結構的CdS/CsPbBr3異質(zhì)結,并且通過晶格匹配限制CsPbBr3外延生長取向,實現(xiàn)了在CdS納米帶表面外延取向均一的CsPbBr3金字塔結構。該工作通過觀測CdS/CsPbBr3異質(zhì)界面和純CsPbBr3的熒光壽命證明了CdS/CsPbBr3異質(zhì)界面對光生載流子有分離作用,可以抑制輻射復合過程。此外,理論計算表明CdS納米帶/CsPbBr3金字塔結構可將入射光約束在異質(zhì)界面區(qū)域。CdS/CsPbBr3異質(zhì)結構的這些特性對提升光電探測性能具有重要幫助。最終,基于CdS/CsPbBr3異質(zhì)結的光電探測器表現(xiàn)出超高的光電響應能力,包括:2.14×105開關比、4.07×104A/W響應度、1.36×1013Jones探測率等。

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Type2型能帶結構的CdS/CsPbBr3異質(zhì)結對光生載流子的分離作用

以上圖中可見,CdS/CsPbBr3異質(zhì)結在457nm光激發(fā)下發(fā)射出強烈的綠色熒光,即帶邊激子的輻射復合發(fā)光。在異質(zhì)結界面上收集的光譜(2和4)顯示了分別來自CdS和CsPbBr3的熒光峰,這也表明了高質(zhì)量CdS納米帶/CsPbBr3金字塔異質(zhì)結構的形成。時間分辨光譜進一步揭示了其熒光衰減過程,由于在CdS/CsPbBr3異質(zhì)結界面上發(fā)生了有效的電荷提取,使得異質(zhì)結的熒光壽命僅為2.61ns,明顯短于純CsPbBr3的壽命。

配置推薦

本文中CdS納米帶/CsPbBr3金字塔異質(zhì)結的超快時間分辨光譜測試,使用卓立漢光公司的ST-10條紋相機獲得。ST-10條紋相機時間分辨率可達到5ps,可匹配多種焦長光譜儀,快速追蹤超快發(fā)光的動力學過程。

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條紋相機超快時間分辨系統(tǒng)

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