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產品展示

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銦鎵砷探測器DInGaAs系列

  • 產品型號:DInGaAs系列
  • 產品時間:2024-05-20
  • 簡要描述:常溫型銦鎵砷探測器(InGaAs)
    ——室溫型近紅外探測器,使用范圍:0.8-1.7μm(2.6μm)
    ● DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件;
    ● DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件;
  • 產品介紹

常溫型銦鎵砷探測器(InGaAs)

——室溫型近紅外探測器,使用范圍:0.8-1.7μm(2.6μm)
● DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件;
● DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件;
● DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件;
● DInGaAs1700型內裝進口大面積InGaAs元件;
● DInGaAs2600型內裝進口InGaAs元件
 
型號列表及主要技術指標:
型號/參數(shù)
DInGaAs1600
DInGaAs1650
DInGaAs1700-R03M
DInGaAs1700
DInGaAs2600
光敏面直徑(mm)
1.5
5
3
5
3
波長范圍(nm)
900-1600
900-1650
800-1700
800-1700
800-2600
峰值響應度(A/W,  ?。?/div>
0.85
0.85
0.9
0.95
1.1
暗電流(nA,  大)
0.1
200
100
10μA
1mA
D*(典型值)
-
-
2.3×1012
9.6×1011
4.1×1010
NEP(典型值)
-
-
1.2×10-13
2.8×10-13
6.5×10-12
阻抗(MΩ)
30
1
1.5
50kΩ
320Ω
電容(pF)
80
1500
800
-
9000
響應時間(ns)
8
160
100
300
1μs
信號輸出模式
電流
電流
電流
電流
電流
輸出信號性
正(P)
正(P)
正(P)
正(P)
 

■ TE制冷型銦鎵砷探測器(InGaAs)
——TE制冷型近紅外探測器,波長范圍:0.8-2.6μm
       TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設計,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件,光譜響應曲線參考圖如下:
型號列表及主要技術指標:
 
 型號/參數(shù)
DInGaAs1700-TE
DInGaAs1900-TE
DInGaAs2200-TE
DInGaAs2400-TE
DInGaAs2600-TE
光敏面直徑(mm)
3
3
3
3
3
波長范圍(nm)
800-1700
800-1900
800-2200
800-2400
800-2600
峰值響應度(A/W)
0.9
1
1.1
1.15
1.2
D*(典型值)
8.4×1013
9.1×1012
1.9×1012
9.6×1011
4.9×1011
NEP(典型值)
3.2×10-15
2.9×10-14
1.4×10-13
2.8×10-13
5.5×10-13
溫控器型號
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
探測器溫度(℃)
-40
-40
-40
-40
-40
溫度穩(wěn)定度(℃)
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
環(huán)境溫度(℃)
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
信號輸出模式
電流
電流
電流
電流
電流
輸出信號性
正(P)
正(P)
正(P)
正(P)
正(P)
備注
制冷模式時須使用溫控器(型號:ZTC)
推薦使用前置放大器型號:ZPA-7
銦鎵砷探測器使用建議:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器,在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前,建議采用I-V跨導放大器ZPA-7(Page85)做為前級放大并轉換為電壓信號;標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號,但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數(shù)據采集系統(tǒng)(Page95)使用時,建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數(shù)據采集系統(tǒng)(Page95)使用時,由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器,故可不再需要另行選配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測,在制冷模式時須使用溫控器(型號:ZTC)進行降溫控制;
 

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