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晶圓缺陷檢測(cè)：寬場(chǎng)熒光顯微成像模組

Wide-field Fluorescence Microscope Module

• 晶圓缺陷檢測(cè)：寬場(chǎng)熒光顯微成像模組以自動(dòng)化顯微鏡模組為基礎(chǔ)，針對(duì) SiC 等化合物半導(dǎo)體晶圓位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷檢測(cè)需求。

• 無(wú)須化學(xué)腐蝕、解理等樣品前處理工藝，非接觸、無(wú)損、整晶圓檢測(cè)。

產(chǎn)品特性和核心技術(shù)：

激光自動(dòng)聚焦。

• 自主研制的激光輔助離焦量傳感器。

• 可在紫外激發(fā)光照射樣品并采集熒光信號(hào)的同時(shí)工作，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)聚焦和表面跟蹤。

紫外暗場(chǎng)照明。

• 標(biāo)配波長(zhǎng) 275 nm 紫外激發(fā)光，可按用戶要求定制其它波長(zhǎng)激發(fā)光。

• 可同位采集明場(chǎng)顯微像、可見(jiàn)光波段暗場(chǎng)熒光像、紅外波段暗場(chǎng)熒光像，分析樣品中位錯(cuò)、層錯(cuò)等。

• 晶格缺陷的分布。

全自動(dòng)操作。

• 自動(dòng)化的控制軟件和數(shù)據(jù)處理軟件，全軟件操作。

相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：

• 《中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) GB_T 43493.3-2023 半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第 3 部分：缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法》（2023 年 12 月 28 日發(fā)布，2024 年7月1日實(shí)施）

性能參數(shù)：

應(yīng)用案例：

6 英寸 SiC 外延片缺陷檢測(cè)

堆疊層錯(cuò)（SF）

基面位錯(cuò)（BPD）